แบบใช้มอสเฟท
ข้อดีของ mosfet ก็อย่างที่ทุกท่านบอกกันมาแต่ข้อเสียมันก็มีการต่อวงจรแบบ h-bridge นั้นถ้าเป็น fet นั้นการ drive ค่อนข้างจะยุ่งยากเนื่องจากการที่มันจะทำงานได้มันต้องมีการ bias ระหว่าง get และ source บางคนบอกว่าแล้วก็ไม่เห็นมันเป็นปัญหาตรงไหนแต่ถ้ามองจากวงจรจะเห็นว่าส่วน ที่เป็น high side นั้นขา source จะต่ออยู่กับขา drain ของอีกตัวไม่ได้ต่อกับ gnd ไม่เหมือนส่วนที่เป็น low side ซึ่งต่อกับ gnd เลยปัญหาก็คือแล้วจะทำอย่างไรจึงจะ drive ฝั่ง high side ได้
ส่วนใหญ่ที่ทำกันก็คือ
1. ใช้แบบ floating gate drive supply
2. charge pump
3. pulse transformer
4. bootstrap
อันนี้เป็นการ drive ฝั่ง high side ทั้งสิ้นอันนี้หมายถึงว่าเราใช้ mosfet ที่เป็นแบบ n ทั้งหมดเนื่องจากว่า mosfet ที่เป็นแบบ p นั้นหายากและราคาค่อนข้างสูงแต่ปัจจุบันนี้ก็มีบางเบอร์ที่เป็นชนิด p และ spec ก็ค่อนข้างสูงก็เลยใช้ฝั่ง
high side เป็นแบบ p และฝั่ง low side เป็นแบบ n ก็เลยทำให้ความยุ่งยากข้างต้นหมดไปแต่ก็อย่างที่บอกนะครับมีน้อยเบอร์
มาถึงส่วนของ tr กันบ้าง tr ก็เจอปัญหาเดียวกับ mosfet แต่โชคดีที่มันหาคู่ได้ง่ายหน่อยมีให้เลือกมากมายตามความต้องการราคาถูกกว่า แถมทำงานที่ volt ต่ำๆได้ด้วยถ้างานไม่หนักมากความถี่ไม่สูงมาก tr ช่วยได้ครับราคาถูก
กว่าเยอะสิ่งหนึ่งที่ไม่ควรลืมระหว่างข้อแตกต่างของสองตัวนี้ก็เครื่อง เรื่องของการ bias นะครับ tr นั้น bias ด้วยกระแสแต่ว่า mosfet นั้น bias ด้วยแรงดันอันนี้สำคัญมากในการออกแบบ
อยากทราบว่าการเอา MOSFET มาต่อ H-Bridge ดีกว่า BJTs อย่างไรครับ
ดีกว่าในเรื่องของการทนกระแสที่สูงกว่า,แรงดันตกคร่อมน้อยกว่า และความเร็วในการสวิทช์ เร็วกว่า ทรานซิสเตอร์ครับ
ปัญหาใหญ่คือราคาครับ เพราะการที่จะทำให้ ฺbjts กระแสสูงๆๆกับ แรงดันตกคร่อมสูงๆๆ ทำยากครับ เมือเทียบกับ mosfet
แล้วราคาต่ำกว่าครับ
ตัวอย่างการต่อจริง
